MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。P2013S MOS管采用先进的沟槽MOSFET技术，采用低电阻封装，提供极低的RDS(开)。P2013S MOS管非常适合负载开关和电池保护应用。
P2013S MOS管规格特征：
1、VDS =-12VID=-5A
2、无线电数据系统(开)< 30mQ@ VGS=-45V(类型:24 mQ)
3、无线电数据系统(开)< 48mQ@ VGS=-25(类型:36 mQ2)
4、高功率和电流处理能力
5、无引线产品
6、采用表面贴装封装
P2013S MOS管应用：脉宽调制应用、负荷开关、电源管理。
